三星将来自NVMe的移动存储速度提高了eUFS 3.1

最新的移动存储标准针对8K视频和大型图像文件进行了优化。随着顺序写入速度提高近三倍，用户可以在1.5分钟内快速传输100 GB文件。整体响应速度和应用程序加载时间也将增加高达60%。

作为全球最大的多功能芯片制造商，三星一直在推动各个领域的技术进步。这家韩国巨头可能没有最快的移动SoC或最好的制造节点，但在LPDDR RAM芯片、图像传感器或存储芯片方面，它总是领先于竞争对手。说到内存，三星最近宣布已经开始生产eUFS 3.1芯片，即将集成到旗舰手机中。

UFS 3.0已经相当快了，但三星现在正在加大赌注，推出针对8K视频和大尺寸图像文件优化的嵌入式版本。虽然读取速度保持在2.1 GB/s不变，但改进后的标准将写入速度限制在1.2 GB/s，提高了3倍，因此传输速度很快就会超过1 GB/s，用户将可以在其中移动100 GB的数据。大约1.5分钟。随机读/写速度也得到了提高，读取速度为100，000 IOPS，写入速度为70，000 IOPS，这将使一般响应速度和加载时间提高60%。

三星将提供512 GB、256 GB和128 GB版本的eUFS 3.1芯片，这意味着这一新标准也可能被中端手持设备采用。目前，这些芯片仅在中国Xi安的第五代V-NAND存储器工厂生产。三星计划扩大其韩国平泽工厂的大规模生产，该工厂将使用第六代V-NAND存储器。

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